Описание
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
12.03.2025
BUK954R4-80E datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
-
МаркировкаBUK954R4-80E
-
ПроизводительNXP Semiconductors
-
ОписаниеNXP Semiconductors BUK954R4-80E Mfr Package Description: PLASTIC, SC-46, 3 PIN Lead Free: Yes EU RoHS Compliant: Yes Package Shape: RECTANGULAR Package Style: FLANGE MOUNT Terminal Form: THROUGH-HOLE Terminal Finish: TIN Terminal Position: SINGLE Number of Terminals: 3 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Case Connection: DRAIN Number of Elements: 1 Transistor Application: SWITCHING Transistor Element Material: SILICON Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER Drain Current-Max (ID): 120 A DS Breakdown Voltage-Min: 80 V Avalanche Energy Rating (Eas): 488 mJ Drain-source On Resistance-Max: 0.0044 ohm Pulsed Drain Current-Max (IDM): 715 A
-
Количество страниц13 шт.
-
ФорматPDF
-
Размер файла211,78 KB
BUK954R4-80E datasheet скачать
Новости электроники
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
Возникающие проблемы в тестировании беспроводных коммуникаций
11.03.2025
Развитие 5G RF-дизайна: сочетание гибридного соединения и RFSOI для модулей фронтального тракта следующего...
11.03.2025
